RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
47
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3756
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link