ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 27

Около 4% меньшая задержка

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.5 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 18.5
Скорость записи, Гб/сек

9.5 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 3731

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB

Kingston KF556C40-16 16GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

модули RAM