RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2340
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link