RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2893
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link