RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
12.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2066
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link