RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3035
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link