RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
48
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
48
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
11.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2466
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link