RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1825
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link