RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
13.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2317
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link