ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB против Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 30
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.3 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 8500
    Около 1.25% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.3 left arrow 10.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 8500
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1433 left arrow 1479
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения