RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB против Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Средняя оценка
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2113
2648
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Сравнения RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link