RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
6.7
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2283
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link