RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
39
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
2831
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link