RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2099
3004
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link