RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
34
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
34
Скорость чтения, Гб/сек
18.1
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3040
3343
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link