RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
28
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
28
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
15.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3693
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link