RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
70
Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
70
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
15.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
1934
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link