RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
27
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
27
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
15.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3245
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link