RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
7.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
2234
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link