Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 34

Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.1 16.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 19
Скорость чтения, Гб/сек

16.2 19.1
Скорость записи, Гб/сек

9.7 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2636 2994

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

модули RAM

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM