RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
34
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
3515
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link