RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2609
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link