RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3629
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link