RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2999
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link