RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2962
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/2GX 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link