RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
56
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2597
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link