RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
71
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
1902
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link