RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2412
2179
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link