RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
49
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2282
2413
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link