RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2968
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link