RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
51
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
2,135.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
47
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2308
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link