RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3042
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link