RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
41
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2154
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link