Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Средняя оценка

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Причины выбрать
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 29

Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15 14.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 25
Скорость чтения, Гб/сек

14.3 15.0
Скорость записи, Гб/сек

10.1 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2227 2549

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB

модули RAM

Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965413-028.A01LF 4GB

Kingston 9965413-028.A01LF 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

модули RAM