RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
19.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3829
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link