RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
5.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
45
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
5.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
1535
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link