RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3693
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link