RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3726
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link