RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3726
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link