RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3698
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link