RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
8.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2126
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link