RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3233
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2GX 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link