RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
51
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2687
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link