RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Micron Technology 8G2666CL19 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3040
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link