RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3911
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link