RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1724
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link