RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
78
Около 68% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
78
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
12.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2113
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link