Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 48

Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.1 10.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.6 8.1

Среднее значение в тестах

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 48
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 10.8
Скорость записи, Гб/сек

8.6 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 2431

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM