RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
66
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
66
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1699
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link