RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2641
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link