RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2865
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link